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如果你也在 怎样代写微电子芯片原理Microelectronics ELECENG4109这个学科遇到相关的难题,请随时右上角联系我们的24/7代写客服。微电子芯片原理Microelectronics是电子学中的一个领域,它利用微小的,或微型的元件来制造电子产品。随着对小型和低价设备的需求增长,该领域继续扩大。主要的重点领域一般是研究、可靠性和制造。

微电子芯片原理Microelectronics是电子学的一个分支领域。顾名思义,微电子学与非常小的电子设计和元件的研究和制造(或微加工)有关。通常,但不总是,这意味着微米级或更小。这些设备通常由半导体材料制成。普通电子设计的许多元件都有微电子的对应物。这些元件包括晶体管、电容器、电感器、电阻器、二极管和(自然)绝缘体和导体都可以在微电子装置中找到。由于元件、导线和焊盘的尺寸异常小,微电子学中也经常使用独特的布线技术,如电线接合。这种技术需要专门的设备,而且价格昂贵。

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物理代写|微电子芯片原理代写Microelectronics代考|ELECENG4109 pn JUNCTION

物理代写|微电子芯片原理代写Microelectronics代考|pn JUNCTION

We begin our study of semiconductor devices with the $p n$ junction for three reasons. (1) The device finds application in many electronic systems, e.g., in adaptors that charge the batteries of cellphones. (2) The $p n$ junction is among the simplest semiconductor devices, thus providing a good entry point into the study of the operation of such complex structures as transistors.

(3) The pn junction also serves as part of transistors. We also use the term “diode” to refer to $p n$ junctions.

We have thus far seen that doping produces free electrons or holes in a semiconductor, and an electric field or a concentration gradient leads to the movement of these charge carriers. An interesting situation arises if we introduce $n$-type and $p$-type dopants into two adjacent sections of a piece of semiconductor. Depicted in Fig. $2.16$ and called a “pn junction,” this structure plays a fundamental role in many semiconductor devices. The $p$ and $n$ sides are called the “anode” and the “cathode,” respectively.

物理代写|微电子芯片原理代写Microelectronics代考|pn Junction in Equilibrium

Let us first study the $p n$ junction with no external connections, i.e., the terminals are open and no voltage is applied across the device. We say the junction is in “equilibrium.” While seemingly of no practical value, this condition provides insights that prove useful in understanding the operation under nonequilibrium as well.

We begin by examining the interface between the $n$ and $p$ sections, recognizing that one side contains a large excess of holes and the other, a large excess of electrons. The sharp concentration gradient for both electrons and holes across the junction leads to two large diffusion currents: electrons flow from the $n$ side to the $p$ side, and holes flow in the opposite direction. Since we must deal with both electron and hole concentrations on each side of the junction, we introduce the notations shown in Fig. 2.18.

The diffusion currents transport a great deal of charge from each side to the other, but they must eventually decay to zero. This is because if the terminals are left open (equilibrium condition), the device cannot carry a net current indefinitely.

We must now answer an important question: what stops the diffusion currents? We may postulate that the currents stop after enough free carriers have moved across the junction so as to equalize the concentrations on the two sides. However, another effect dominates the situation and stops the diffusion currents well before this point is reached.

To understand this effect, we recognize that for every electron that departs from the $n$ side, a positive ion is left behind, i.e., the junction evolves with time as conceptually shown in Fig. 2.19. In this illustration, the junction is suddenly formed at $t=0$, and the diffusion currents continue to expose more ions as time progresses. Consequently, the immediate vicinity of the junction is depleted of free carriers and hence called the “depletion region.”

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微电子芯片原理代写

物理代写|微电子芯片原理代写Microelectronics代考|pn JUNCTION

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我们从$p n$结开始对半导体器件的研究,有三个原因。这种装置在许多电子系统中都有应用,例如为手机电池充电的适配器。(2) $p n$结是最简单的半导体器件之一,因此为研究像晶体管这样复杂结构的工作提供了一个很好的切入点


pn结也是晶体管的一部分。我们也使用术语“二极管”来指代$p n$结


到目前为止,我们已经看到掺杂会在半导体中产生自由电子或空穴,电场或浓度梯度会导致这些载流子的运动。如果我们把$n$型和$p$型掺杂剂引入半导体片的两个相邻部分,就会出现一个有趣的情况。如图$2.16$所示,称为“pn结”,这种结构在许多半导体器件中起着基本作用。$p$和$n$边分别被称为“阳极”和“阴极”

物理代写|微电子芯片原理代写Microelectronics代考|pn Junction in balance

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让我们首先研究没有外部连接的$p n$结,即,终端是开放的,没有电压施加在整个设备上。我们说结处于“平衡”状态。虽然这个条件看起来没有什么实际价值,但它也为理解非平衡状态下的运行提供了有用的见解


我们首先检查$n$和$p$部分之间的界面,认识到一边包含大量多余的空穴,而另一边包含大量多余的电子。电子和空穴在结中急剧的浓度梯度导致了两种大的扩散电流:电子从$n$侧流向$p$侧,空穴则向相反的方向流动。由于我们必须同时处理结两边的电子和空穴浓度,我们引入图2.18所示的符号


扩散电流将大量的电荷从一端传输到另一端,但它们最终必须衰减为零。这是因为如果终端处于开放状态(平衡状态),设备就不能无限承载净电流


我们现在必须回答一个重要的问题:是什么阻止了扩散电流?我们可以假设,当足够多的自由载流子通过结后,电流停止,以便使两边的浓度相等。然而,另一种效应主导了这种情况,并在达到这一点之前就停止了扩散电流


为了理解这一效应,我们认识到,每一个电子离开$n$侧,就会留下一个正离子,即,结随时间的演化,如图2.19所示。在这张图中,结突然在$t=0$处形成,随着时间的推移,扩散电流继续暴露更多的离子。因此,结附近的自由载流子被耗尽,因此称为“损耗区”。

物理代写|微电子芯片原理代写Microelectronics代考

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微观经济学代写

微观经济学是主流经济学的一个分支,研究个人和企业在做出有关稀缺资源分配的决策时的行为以及这些个人和企业之间的相互作用。my-assignmentexpert™ 为您的留学生涯保驾护航 在数学Mathematics作业代写方面已经树立了自己的口碑, 保证靠谱, 高质且原创的数学Mathematics代写服务。我们的专家在图论代写Graph Theory代写方面经验极为丰富,各种图论代写Graph Theory相关的作业也就用不着 说。

线性代数代写

线性代数是数学的一个分支,涉及线性方程,如:线性图,如:以及它们在向量空间和通过矩阵的表示。线性代数是几乎所有数学领域的核心。

博弈论代写

现代博弈论始于约翰-冯-诺伊曼(John von Neumann)提出的两人零和博弈中的混合策略均衡的观点及其证明。冯-诺依曼的原始证明使用了关于连续映射到紧凑凸集的布劳威尔定点定理,这成为博弈论和数学经济学的标准方法。在他的论文之后,1944年,他与奥斯卡-莫根斯特恩(Oskar Morgenstern)共同撰写了《游戏和经济行为理论》一书,该书考虑了几个参与者的合作游戏。这本书的第二版提供了预期效用的公理理论,使数理统计学家和经济学家能够处理不确定性下的决策。

微积分代写

微积分,最初被称为无穷小微积分或 “无穷小的微积分”,是对连续变化的数学研究,就像几何学是对形状的研究,而代数是对算术运算的概括研究一样。

它有两个主要分支,微分和积分;微分涉及瞬时变化率和曲线的斜率,而积分涉及数量的累积,以及曲线下或曲线之间的面积。这两个分支通过微积分的基本定理相互联系,它们利用了无限序列和无限级数收敛到一个明确定义的极限的基本概念 。

计量经济学代写

什么是计量经济学?
计量经济学是统计学和数学模型的定量应用,使用数据来发展理论或测试经济学中的现有假设,并根据历史数据预测未来趋势。它对现实世界的数据进行统计试验,然后将结果与被测试的理论进行比较和对比。

根据你是对测试现有理论感兴趣,还是对利用现有数据在这些观察的基础上提出新的假设感兴趣,计量经济学可以细分为两大类:理论和应用。那些经常从事这种实践的人通常被称为计量经济学家。

MATLAB代写

MATLAB 是一种用于技术计算的高性能语言。它将计算、可视化和编程集成在一个易于使用的环境中,其中问题和解决方案以熟悉的数学符号表示。典型用途包括:数学和计算算法开发建模、仿真和原型制作数据分析、探索和可视化科学和工程图形应用程序开发,包括图形用户界面构建MATLAB 是一个交互式系统,其基本数据元素是一个不需要维度的数组。这使您可以解决许多技术计算问题,尤其是那些具有矩阵和向量公式的问题,而只需用 C 或 Fortran 等标量非交互式语言编写程序所需的时间的一小部分。MATLAB 名称代表矩阵实验室。MATLAB 最初的编写目的是提供对由 LINPACK 和 EISPACK 项目开发的矩阵软件的轻松访问,这两个项目共同代表了矩阵计算软件的最新技术。MATLAB 经过多年的发展,得到了许多用户的投入。在大学环境中,它是数学、工程和科学入门和高级课程的标准教学工具。在工业领域,MATLAB 是高效研究、开发和分析的首选工具。MATLAB 具有一系列称为工具箱的特定于应用程序的解决方案。对于大多数 MATLAB 用户来说非常重要,工具箱允许您学习应用专业技术。工具箱是 MATLAB 函数(M 文件)的综合集合,可扩展 MATLAB 环境以解决特定类别的问题。可用工具箱的领域包括信号处理、控制系统、神经网络、模糊逻辑、小波、仿真等。

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